三星计划在2027年将1.4 nm工艺用上BSPDN供电技术

【环球网科技综合报道】8月17日消息，据外媒报道称，三星计划在2027年让1.4nm工艺用上BSPDN背部供电技术。据悉，这是三星电子首次披露其 BSPDN 开发进程。

资料显示，背部供电（BSPDN）技术是一项应用于先进半导体的创新技术，旨在更好地挖掘晶圆背面空间的潜力，但至今仍未在全球范围内实施。

三星电子相关人士表示：“采用背面供电技术的半导体的量产时间可能会根据客户的日程安排而改变。”