弯折 1 万次也能用，西电开发出下一代可穿戴神经形态电子设备器件

2 月 9 日消息，西安电子科技大学集成电路学部刘琛副教授等人，和北京大学深圳研究院香港中文大学（深圳）张敏团队合作，于今年初在 Advanced Materials （5 年 IF=30.2）发表题为 Ultra-Flexible High-Linearity Silicon Nanomembrane Synaptic Transistor Array 的研究成果。

该论文提出的柔性硅纳米膜突触晶体管，为下一代可穿戴神经形态电子设备的发展、系统集成和应用提供了一种有潜力的候选器件，论文第一单位为西安电子科技大学，论文的通讯作者为刘琛副教授和张敏教授。

从西安电子科技大学官方获悉，柔性硅纳米膜突触晶体管的耐用性超强，经历曲率半径仅 2.2 毫米的 10000 次弯折循环后，电学性能纹丝不动，可用于运动时佩戴的健康监测设备，以及各种灵活的智能穿戴配件等。

而且，通过调控栅极脉冲电压和宽度，晶体管能像神经元一样精准控制突触后电流，模拟生物神经网络的学习与记忆过程，为人工智能硬件落地推开了一扇大门。

此外，硅纳米膜突触晶体管在长时程特性中展现出卓越的线性度，手写数字识别准确率达 93.2%，可以应用到诸多领域。

附论文链接：

https://doi.org/10.1002/adma.202413404

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