消息称 SK 海力士有望 2 月启动业界最先进 1c nm 制程 DRAM 内存量产

1 月 17 日消息，韩媒 MT（注：全称 MoneyToday）当地时间今日报道称，SK 海力士近日已成功完成内存业界最先进 1c 纳米制程 DRAM 的批量产品认证，连续多个以 25 块晶圆为单位的批次在质量和良率上均达到要求。

SK 海力士有望在完成量产交接手续后于 2 月初正式启动 1c 纳米 DRAM 量产。

SK 海力士在 2024 年 8 月末宣布成功实现 1c 纳米工艺的 16Gb DDR5-8000 DRAM 内存开发。而从开发成功到量产的约半年时间也符合 DRAM 内存行业的一般新制程量产时间表。

SK 海力士的两大竞争对手三星电子和美光目前都尚未官宣第六代 10 纳米级 DRAM 内存，这意味着 SK 海力士在最新节点世代上占据着明显先发优势。

SK 海力士曾表示，1c 工艺技术将应用于新一代 HBM、LPDDR6、GDDR7 等最先进 DRAM 主力产品群。