重大突破！中国科研团队人工合成出超级钻石 第四代半导体稳了
2月12日消息，据国内媒体报道称，中国科研团队人工合成出超级钻石，为打破立方金刚石应用局限提供可能。
吉林大学物理学院高压与超硬材料全国重点实验室、综合极端条件高压科学中心刘冰冰教授、姚明光教授团队联合中山大学朱升财教授等取得了重大突破，在Nature Materials上发表题为“General Approach for Synthesizing Hexagonal Diamond by Heating Post-Graphite Phases”的最新研究论文，发现了高温高压下石墨经由后石墨相形成六方金刚石的全新路径。
论文中显示，上述团队“首次”合成出高质量六方金刚石块材，发现其具有高出立方金刚石的极高硬度和良好的热稳定性。
该成果不仅提供了一种纯相六方金刚石人工合成的有效途径，给出了其独立存在的有力证据，也为超硬材料和新型碳材料添加了性能更为优异的新成员，为突破立方金刚石的应用局限提供了可能；该成果对深入了解陨石中钻石的具体来源和重大地质事件也有着重要意义。
目前全球各国都在追逐第四代半导体技术，而金刚石材料如何运用就成了大家重要的突破口。
换句话说就是，金刚石半导体材料将成为未来的王者，因为金刚石的硬度、声速、热导率、杨氏模量等物理特性在所有材料中都首屈一指。
金刚石因其优异的物理特性而常被称为“终极功率半导体材料”，其优点包括：
1、带隙大，抗介电击穿能力强；
2、迁移率（开关速度）高，功耗低；
3、在高温、高辐射环境下也能稳定运行。
金刚石特别适合用于功率半导体，因为作为绝缘体，金刚石的介电击穿强度是硅的33倍，远高于SiC和GaN。
带隙是硅的5.5倍，带隙是指固体材料中不存在电子态的能量范围。带隙越大，发生介电击穿的可能性就越小。金刚石功率半导体还可在大约5倍高温的环境中工作，理论上可处理大约50,000倍的电力。
在金刚石半导体材料的研究进展方面，日本无疑处于全球领先地位。从金刚石衬底的研发，到器件的设计，再到设备的制造，日本已经均有所布局，产业链逐步完善，而我国也在追赶中。
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