刚拿到长江存储专利 三星就宣布400 层闪存！首次双晶圆键合

2月27日消息，见证历史的时刻！全球第一的存储巨头三星，居然购买中国长江存储的专利技术，来打造未来产品，而在拿到授权的第一时间，三星就宣布了基于相关技术的成果：400多层堆叠的第十代V-NAND闪存。

和众多传统闪存厂商一样，三星也是一直将CMOS控制电路放在存储阵列之下，在同一块晶圆上制造，而随着堆叠层数、存储密度的急剧增加，这种架构越来越难以推进。

长江存储的Xtacking晶栈架构则是在两块晶圆上分别制造控制电路、存储阵列，然后键合在一起，制造难度和成本大大降低，也有利于持续升级。

三星的第十代V-NAND，就将引入这种设计。

铠侠/闪迪的闪存从第八代到日前刚发布的第十代，也是类似架构。

长江存储晶栈架构

铠侠最新架构

三星第十代V-NAND将堆叠超过400层(具体数字未公开)，夺回世界第一，超过开下刚刚创记录的332层。

首发TLC，单Die容量1Tb(128GB)，存储密度每平方毫米28Gb，略低于三星1Tb QLC颗粒的平方毫米28.5Gb，也远不如铠侠第十代的大约每平方毫米36.4Gb，因为密度不是三星的首要目标，层数才是。

接口传输速度倒是领先，达到了5600MT/s，也就是700MB/s。

因此，只需10颗芯片就能吃满PCIe 4.0 x4，20颗吃满PCIe 5.0 x4，32颗就能吃满PCIe 6.0 x4。

事实上，大多数NAND闪存芯片都是8颗或者16颗Die封装而成，因此16颗就能做到单颗芯片2TB，M.2 SSD单面能做到8TB，双面可达16TB。

当然，因为兼容性问题，双面的并不多见。

按照三星的规划，2030年左右将做到1000层堆叠！

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