镓仁半导体发布全球首颗第四代半导体氧化镓 8 英寸单晶

3 月 6 日消息，杭州镓仁半导体 Garen Semi 昨日宣布推出全球首颗第四代半导体氧化镓 8 英寸，该公司也成为国际上首家掌握 8 英寸氧化镓单晶生长技术的企业。

镓仁半导体此前于 2022、2023、2024 年分别生长得到了 2 英寸、4 英寸、6 英寸的氧化镓单晶，此次的 8 英寸单晶具有更优秀的晶圆面积利用率，同时与现有硅基晶圆厂的 8 英寸产线兼容，将加速氧化镓产业化应用的步伐。

获悉，氧化镓 —— 准确地说是 β-Ga₂O₃ —— 具有较碳化硅、氮化镓更宽的 4.85eV 禁带，还具备优秀的热和化学稳定性和更高的击穿电场强度，是第四代半导体中的明星材料。

基于氧化镓的功率器件可提供更小的电阻和更高的转换效率，有望将新能源汽车平台电压推向 1200V；同时氧化镓材料拥有 260nm 的紫外截止边，紫外波段的透过率受载流子浓度影响小，适宜制造深紫外波段光电器件。