日本将与美国合作建设本土2纳米芯片制造基地

据日经新闻报道，日本将与美国方面合作，启动该国本土2纳米先进制程研发、制造设施建设。

日经报道称，可能的合作方式将是美日双方企业合资成立新公司，或由日本企业独自承担基础设施建设，经产省将予以补贴。

根据双方意向，联合研发最早将在今年夏天启动，2025-2027年间建成研发与产业化基地。

目前，IBM与英特尔均在开展2纳米工艺研发，此前日本经产大臣曾到访IBM先进工艺研发设施。

日经分析称，日本在半导体设备材料领域拥有强大实力，与美国芯片厂商合作可望优势互补，早日突破先进制程技术。