因 HBM3/3E 内存产能挤占，SK 海力士 DDR5 被曝涨价 15~20%

8 月 13 日消息，华尔街见闻报道称，SK 海力士已将其 DDR5 DRAM 芯片提价 15%-20%。供应链人士称，海力士 DDR5 涨价主要是因为 HBM3/3E 产能挤占。

今年 6 月就有消息称 DDR5 价格在今年有着 10%-20% 上涨空间：各大厂商已为 2024 年 DDR5 芯片分配产能，这表明价格已经不太可能下降；再加上下半年是传统旺季，预计价格会有所上涨。

今日早些时候还有报道，SK 海力士等三大原厂采用 EUV 光刻的 1c nm DRAM 即将在 2024~2025 年推出。而从下代 1d nm 节点开始，先进内存将使用 EUV 多重曝光，大幅提升生产流程中 EUV 光刻环节的成本。