仍基于 1b nm DRAM，消息称 SK 海力士年内先后流片英伟达、AMD 用 HBM4 内存

8 月 26 日消息，韩媒 ZDNet Korea 报道称，SK 海力士将于 2024 年内先后流片为英伟达和 AMD 两大客户开发的 HBM4 内存。

消息人士向韩媒表示，SK 海力士已为这两家主要 HBM 内存客户组建了 HBM4 内存开发团队。英伟达用 HBM4 将率先于今年 10 月进行流片，而向 AMD 供应的 HBM4 也将在今年底流片。

报道还表示，虽然三星电子计划在 HBM4 内存上直接应用 1c nm DRAM 以提升能效竞争力，但 SK 海力士为稳定起见将在 HBM4 沿用已在 HBM3E 中得到检验的 1b nm DRAM 裸片。

而在 HBM4 的基础裸片（Base Die，也称逻辑芯片、接口芯片）部分，SK 海力士将采用台积电提供的 N12FFC 平价产品和 N5 高性能产品。

此外韩媒提到，英伟达预计于 2026 年发布的后 Blackwell 世代高性能 AI GPU“Rubin”将使用 12 层堆叠的 HBM4 内存。

参考此前报道，SK 海力士在 HBM 领域的主要竞争者三星电子也将在 2024 年内启动 HBM4 内存的流片。