SK 海力士宣布全球率先量产 12 层 HBM3E 芯片，实现 36GB 最大容量

9 月 26 日消息，SK 海力士今日宣布，公司全球率先开始量产 12 层 HBM3E 芯片，实现了现有 HBM 产品中最大的 36GB 容量；公司将在年内向客户提供此次产品。

首次消息影响，SK 海力士股价在韩国涨超 8%，市值超过 120.34 万亿韩元（备注：当前约 6351.55 亿元人民币）。

据介绍，SK 海力士还堆叠 12 颗 3GB DRAM 芯片，实现与现有的 8 层产品相同的厚度，同时容量提升 50%。为此，公司将单个 DRAM 芯片制造得比以前薄 40%，并采用硅通孔技术（TSV）技术垂直堆叠。

此外，SK 海力士也解决了在将变薄的芯片堆叠更多时产生的结构性问题。公司将其核心技术先进 MR-MUF 工艺应用到此次产品中，散热性能较上一代提升了 10%，并增强了控制翘曲问题，从而确保稳定性和可靠性。

自 2013 年全球首次推出第一代 HBM 至第五代 HBM (HBM3E)，公司是唯一一家开发并向市场供应全系列 HBM 产品的企业。公司业界率先成功量产 12 层堆叠产品，不仅满足了人工智能企业日益发展的需求，同时也进一步巩固了 SK 海力士在面向 AI 的存储器市场的领导者地位。

SK 海力士表示，12 层 HBM3E 在面向 AI 的存储器所需要的速度、容量、稳定性等所有方面都已达到全球最高水平。12 层 HBM3E 的运行速度可达 9.6Gbps，在搭载四个 HBM 的 GPU 上运行‘Llama 3 70B’大语言模型时每秒可读取 35 次 700 亿个整体参数的水平。