消息称三星本月成功研制首批 1c nm DRAM 良品晶粒，未来将用于 HBM4 内存

10 月 22 日消息，韩媒 ZDNET Korea 当地时间昨日报道称，三星电子本月首次开发出 1c nm（第 6 代 10nm 级）DRAM 内存 Good Die 良品晶粒，公司内部对此给予积极评价。

不过三星的 1c nm DRAM 量产开发尚需一段时日，首批产品良率不足一成。产能方面，三星电子计划在今年底前建成第一条 1c nm DRAM 内存量产线。

参考以往报道，三星电子下代 HBM 内存 HBM4 预计将基于 1c nm DRAM，以期通过制程优势追赶在 HBM3E 量产供应上更为快速的 SK 海力士与美光两大对手，夺回在 HBM 领域的市场份额。

根据行业以往惯例，每代 DRAM 制程多首先应用于 DDR 通用内存，然后逐渐扩展到 LPDDR，最终再在对 DRAM 良率与性能要求严苛的 HBM 上使用。

不过考虑到 1c nm DRAM 世代首台产线直到今年底才会建成，全面量产最早也需要到 2025 上半年，而此前消息称三星电子 HBM4 将于 2025 年底量产，这意味着三星很可能在 1c nm 上打破常规顺序，对该 DRAM 制程的良率与性能爬坡速度提出了更高要求。