三星高管暗示其 HBM 芯片已获英伟达质量测试重大进展

10 月 31 日消息，三星电子内存业务副总裁 Kim Jae-june 在第三季度财报公布后召开的电话会议上表示：“目前，我们正在量产 8 层和 12 层 HBM3E 产品。”

据他所说，该公司在满足“主要客户”的质量测试要求方面取得了“有意义的进展”。该客户很显然指的是英伟达。

他还表示：“我们正在向多个客户扩大 8 层和 12 层 HBM3E 芯片的销售。我们正在努力改进我们的 HBM3E，以符合一家大客户的下一代 GPU 计划。”

此外，三星还表示该公司正在开发第 6 代 HBM4 产品，计划从明年下半年开始批量生产。

目前，三星电子 HBM3E 产品完全依赖于其 14nm 级（注：即 1a nm）DRAM，而另外两家主要 HBM 内存企业 SK 海力士与美光的产品则基于 1b DRAM，三星天然存在相对工艺劣势。

此外三星电子在其 12nm 级（1b nm）DRAM 的最初设计中并未考虑到 HBM 领域的用途，因此三星无法立即调整 HBM3E 内存的 DRAM Die 选用。

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