制程反超三星，消息称 SK 海力士将为定制 HBM4 内存导入 3nm 基础裸片

12 月 4 日消息，据两家韩国姊妹媒体 hankyung、KED Global 近两日报道，SK 海力士将为定制 HBM4 内存导入更为先进的台积电 3nm 工艺基础裸片，以响应英伟达等美国大型科技企业的需求。

随着 HBM 内存的演进，基础裸片（注：即 Base Die、Logic Die、Interface Die）承担的工作也愈发复杂，到 HBM4 世代基础裸片将全面转向逻辑半导体工艺并支持客户定制电路，以提升 AI 半导体运行效率。

SK 海力士的 HBM4 基础裸片将由台积电代工，此前台积电就已展示过 N12FFC 制程“性价比”款和 N5 制程“高性能”款设计，而 3nm 版本有望进一步提升 20%~30% 性能。

据悉，SK 海力士的标准款 HBM4 仍将采用 N12FFC 基础裸片，而定制产品则将从此前考虑的 5nm 升级至 3nm。另外一方面，三星电子的 HBM4 基础裸片将导入 4nm 制程。

SK 海力士此前曾表示将于 2025 下半年推出首批 HBM4 产品，三星电子的时间表也大致相当。