IBM、Rapidus 展示多阈值电压 GAA 晶体管合作研发成果，有望用于 2nm 量产
12 月 12 日消息，据 IBM 官方当地时间 9 日博客，IBM 和日本先进芯片制造商 Rapidus 在 2024 IEEE IEDM 国际电子器件会议上展示了两方合作的多阈值电压 GAA 晶体管研发成果，这些技术突破有望用于 Rapidus 的 2nm 制程量产。
IBM 表示，先进制程升级至 2nm 后，晶体管的结构由使用多年的 FinFET（注：鳍式场效应晶体管）转为 GAAFET（全环绕栅极场效应晶体管），这对制程迭代带来了新的挑战：如何实现多阈值电压（Multi Vt）从而让芯片以较低电压执行复杂计算。
2nm 名义制程下 N 型和 P 型半导体通道之间的距离相当狭窄，需要精确的光刻才能在实现多阈值电压的同时不会对半导体的性能产生巨大影响，而 IBM、Rapidus 导入了两种不同的选择性减少层（SLR）芯片构建工艺，成功达成了目标效果。
IBM 研究院高级技术人员 Bao Ruqiang 表示：
与上一代 FinFET 相比，Nanosheet 纳米片的结构非常不同，而且可能更复杂。
我们提出的新生产工艺比以前使用的方法更简单，我们相信这将使我们的合作伙伴 Rapidus 更容易可靠地大规模使用 2 纳米片技术制造芯片。
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