红旗首款1700V超高压碳化硅功率器件样件开发成功

红旗首款1700V超高压碳化硅功率器件样件开发成功。这一技术突破将有效解决用户在驾乘过程中的充电焦虑和里程焦虑问题，为未来实现“千伏”以上高压架构奠定了坚实基础。

据悉，该功率器件采用了国产先进1700V车规级超高压碳化硅芯片，并创新性地使用了高介电强度封装材料和高耐压封装结构等技术。测试结果显示，器件在最高母线电压可达1200V的情况下仍能正常工作。

这款碳化硅功率器件可助力补能系统向超高压平台升级，从而大幅缩短充电时间。其设计采用了高密度元胞并联、短沟道元胞结构以及高通流铜夹互联等先进技术，使得在超高压平台下能够充分发挥低损耗与高电流输出的综合性能优势。这将有效提升动力系统的功率密度和效率，在高压、高温环境下稳定高效运行，为用户带来强劲的驾驶体验。

同时，这款碳化硅功率器件还能最大程度地节约整车电耗，提高续驶里程。这次研发的成功对于红旗品牌来说具有重要意义，也为其他汽车制造商提供了新的技术参考。