HBM
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消息称三星 HBM3E 认证遇阻，谷歌 AI 芯片已通知撤换供应商
供应链消息人士称，三星 HBM3E 原定 2025 年 Q1 向英伟达批量出货，但英伟达至今仍未公布最终认证结果。此次谷歌更换供应商被视为认证受阻的重要信号。
SK 海力士 CEO 郭鲁正确认 2025 年 HBM 产能已售罄，预计 DeepSeek 的爆火将为其带来积极影响
郭鲁正表示，HBM4 12H 将于今年晚些时候开始生产。他还表示，中国 Deepseek 的流行将对 AI 内存芯片的需求产生积极影响，“我认为 HBM 的需求不会减少”。
消息称内存原厂考虑 HBM4 采用无助焊剂键合，进一步降低层间间隙
助焊剂可清理 DRAM Die 表面的氧化层，提升键合强度与质量，但其残余也会扩大 HBM 堆栈各 Die 之间的间隙。
