美光
美光
美光发函确认正提升内存与存储产品定价，消息称涨幅 10%~15%
美光宣称由于内存和存储市场已开始走入复苏轨道，计划外需求的增加导致了供应紧张，美光因此涨价。
美光宣布其用于英伟达 AI 芯片的 HBM3E 及 SOCAMM 已量产出货
美光表示，SOCAMM 是一款与 NVIDIA 合作开发的模组化 LPDDR5X 内存解决方案，是全球速度最快、体积最小、功耗最低、容量最高的模组化内存解决方案。
消息称美光对 NAND 闪存新订单平均涨价 11%，年初工厂意外致供应趋紧
美光新加坡 NAND 工厂 1 月一度发生突发断电事故，造成部分晶圆产能的损失。这一意外减产与计划内减产形成叠加效应。
全球首家！美光宣布1γ内存开始出货：专为下一代CPU设计 AMD、Intel已开始验证
全球首家！美光宣布1γ内存开始出货：专为下一代CPU设计 AMD、Intel已开始验证
美光抢滩 1γ DDR5 内存：最少化 EUV 使用，加速量产尖端 DRAM
美光、三星和SK海力士在DRAM生产中的技术路线差异，将直接影响未来市场竞争格局。美光的保守策略短期内可能带来量产优势，但长期来看，三星和SK海力士在EUV技术上的领先地位可能使其在良率和性能上占据上风。
台积电前董事长刘德音加入美光董事会，与英特尔前 CEO 鲍勃・斯旺聚首
这意味着两大先进制程企业的前任掌舵者将在美光展开合作。美光此次还为董事会聘请了来自四大会计师事务所之一德勤的 Christie Simons。
美光全球首款 G9 工艺 UFS 4.1/3.1 存储芯片开始出货，助力智能手机 AI 性能提升
今日美光科技宣布推出全球首款基于 G9 工艺节点的 UFS 4.1 和 UFS 3.1 智能手机存储解决方案，为设备带来更多本地人工智能功能。这些新型存储芯片预计将在美光 1y 工艺的 LPDDR5X 芯片推出后不久应用于旗舰产品，而 LPDDR5X 芯片将于 2026 年初上市。
美光DDR5内存升级1γnm工艺 首次EVU！轻松单条128GB 9200MHz
美光DDR5内存升级1γnm工艺 首次EVU！轻松单条128GB 9200MHz
美光新加坡 HBM 内存先进封装工厂动工，2026 年投运
该工厂将从 2027 年开始大幅提升美光的先进封装总产能，以满足 AI 芯片行业不断增长的 HBM 内存需求。
前西部数据总裁兼首席运营官 Mike Cordano 出任美光全球销售执行副总裁
Mike Cordano 在 2015~2020 年出任西部数据的总裁兼首席运营官，他将在美光负责监督全球销售和扩大市场覆盖。
美光豪掷 21.7 亿美元扩建弗吉尼亚工厂，提升美国特种 DRAM 产能
美国弗吉尼亚州州长格伦・杨金表示，美光计划投资 21.7 亿美元（IT之家备注：当前约 158.76 亿元人民币）扩建其位于弗吉尼亚州马纳萨斯的半导体工厂，创造 340 个就业岗位并提高其在美国的半导体生产能力。该项目将对该设施进行升级，以生产用于工业、汽车、航空航天和国防应用的特种 DRAM 存储器。
PC 和手机需求疲软，美光科技发布业绩预警后股价一度重挫约 18%
公司在声明中表示，在本财年截至明年2月的第二季度的销售额预计约为79亿美元（当前约 576.69 亿元人民币），低于市场平均预期的89.9亿美元。调整后每股收益预计为1.53美元，远低于预期的1.92美元。
美光宣布更换全新 logo：灵感来自晶圆的精密轮廓
北京时间今日，美光宣布更换全新logo：“在过去46年中，美光一直处于技术的前沿，推动变革，改变世界使用信息的方式。我们新的标志体现了这种领导精神，展示了我们始终保持领先地位的承诺。”
美光 2024 财年营收 251.11 亿美元，同比大增 61.59%
按 GAAP 计算，美光 2024 财年毛利率 22.35%，净收入 7.78 亿美元，摊薄每股收益 0.7 美元。
美光确认启动“生产可用”版 12 层堆叠 HBM3E 36GB 内存交付
该 HBM 内存具有 9.2 Gb/s 引脚速率，可提供 1.2 TB/s 内存带宽，功耗低于友商 8 层堆叠竞品。
