海力士
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消息称三星、SK 海力士“自然减少”NAND 产量，应对供应过剩问题
三星电子与SK海力士已经开始减少NAND闪存的产量，这是为了应对供应过剩，采取了通过工艺转换实现的“自然减产”措施。
SK 海力士突破 HBM 堆叠层数限制，MR-MUF 和混合键合封装两手抓
SK 海力士封装研发副社长李康旭（Kangwook Lee）于 9 月 3 日出席“2024 年异构集成全球峰会”，发表了名为“面向人工智能时代的 HBM 和先进封装技术”的演讲，表示公司正在开发 16 层 HBM4 内存。