三星电子
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消息称三星电子 DS 部门已同 Palantir 合作，以外部 AI 技术优化半导体制造工艺
DS 部门选择导入 Palantir 的 AI 分析平台，一方面是后者承诺数据安全，另一方面是三星迫切需要改善良率。
三星李在镕呼吁高管“背水一战”，应对 AI 新时代挑战
三星电子董事长李在镕呼吁约2000名高管以“背水一战”心态应对AI挑战。目前三星在多业务领域面临困境，分析师预计其一季度营业利润或降22.5%。##三星电子 ##人工智能挑战#
三星电子系统 LSI 部门接近完成重组，内部考虑将“Exynos”转移至 MX 部门
业界人士表示，MX 部门抵制接手 Exynos 业务的很大一部分原因在于，如果接手严重亏损 Exynos 业务会对其业绩造成显著负担。
三星已于去年底量产第四代 4 纳米芯片，全力追赶台积电
据 ZDNet Korea 今日报道，三星电子第四代 4 纳米工艺（SF4X）已于去年 11 月开始量产。由于该工艺专注于人工智能等高性能计算（HPC）领域，预计将在三星代工业务的复苏中发挥关键作用。三星第一代 4 纳米于 2021 年量产。
三星革新半导体技术，玻璃中介层 / 基板两手抓
三星电子和三星电机在玻璃中介层和玻璃基板领域的双重布局，不仅展示了其在半导体技术上的创新实力，也凸显了通过内部竞争推动生产效率提升的战略意图。这两项技术的成功开发，有望为下一代高性能半导体提供强大支持，进一步巩固三星在全球半导体市场的领先地位。
韩国三星电子工会投票通过加薪协议，员工今年将涨薪 5.1%
韩国三星电子的主要工会 —— 韩国全国三星电子工会（NSEU）于周三投票通过了一项加薪协议。根据公司上个月与工会达成的协议，三星电子员工今年将获得 5.1% 的薪资增长。该协议需由工会成员表决通过后方能生效。
Galaxy S25 取得巨大成功，三星电子任命崔元俊为移动体验部门总裁
据 Business Korea 报道，今日三星电子宣布了一项重要的人事任命，崔元俊（Choi Won-joon）被提升为三星电子移动体验（MX）部门总裁，该任命即日起生效。三星电子这一战略举措很大程度上得益于 Galaxy S25 的巨大成功，这也证明了崔元俊在 AI 智能手机研发方面的领导能力与创新实力。
三星计划到 2030 年实现 1000 层 NAND，并推出 400 层晶圆键合技术
长江存储将该技术命名为“Xtacking”，且早在 100 层以下的产品就已经开始应用，而长江存储目前正在量产 270 层的 NAND 闪存。据 ZDNet 报道，三星将为此与长江存储建立合作关系。
消息称三星电子已启动 Exynos 2500 处理器生产，但良率仍不足五成
Exynos 2500 将采用 10 核 CPU 与基于 AMD RDNA 系列架构的 Xclipse 950 GPU，有望用于三星“小折叠”智能手机。
三星电子与工会就 2025 年加薪 5.1% 达成初步协议
三星电子周一发布声明称，该公司与其最大的工会就 2025 年工资协议达成初步协议，工资将平均增长 5.1%。此次协议涉及的全国三星电子工会（NSEU）拥有约 3.6 万名会员，占三星电子韩国员工总数约 30%。双方表示，会员们将于 2 月 28 日至 3 月 5 日对这一初步协议进行投票表决。
消息称三星电子 4nm 良率已近 80%，近期获中企 ASIC 代工订单
三星将先进制程工作重心从赢得“纳米竞赛”转移至提升良率和赢得客户信任上，这一战略目前看来收获了成效。
消息称三星电子调整 1c nm DRAM 内存设计：牺牲外围密度以保障良率
三星此前为 1c nm 内存设定了更为严格的线宽要求，这对工艺稳定性的要求更高，造成了良率上的压力。
消息称三星 Exynos 2600 开发顺利，2nm SF2 工艺试产良率 30%
SF2 是三星电子代工部门计划在今年下半年量产的最新工艺，采用第三代 GAA 工艺。与 SF3 相比，SF2 性能有望提高 12%，能效提高 25%，面积微缩 5%。
时隔 13 年的重磅回归，三星电子将出席 2025 台北国际电脑展
这家韩国科技巨头上次以参展方的地位出现在 COMPUTEX 中还是 2012 年。三星将在本次展会上带来系列 AI 硬件新品。
三星电子 2024 年营收 300 万亿韩元同比增长 16%，归母净利润 33.6 万亿韩元
三星电子今日发布 2024 年 Q4 及全年财报。其中，三星电子 2024 年 Q4 营收 75.8 万亿韩元，同比增长 12%。
消息称三星电子砍半晶圆代工部门 2025 年设备投资预算，陡降至 5 万亿韩元
三星晶圆代工业务在 2021~2023 年的投资高峰期每年的设备投资规模可达 15~20 万亿韩元；今年该部门将最大限度地利用已有的生产基础设施。
三星 SF4X 先进制程获 IP 生态支持：Blue Cheetah 流片 D2D 互联 PHY
三星 SF4X 制程也称为 4HPC，是其 4nm 系列节点演进中的最新一步；其与此前的变体不同，主要面向 AI / HPC 所需芯片。
为应对内存良率、性能困局：消息称三星从头设计新版 1b nm DRAM
三星电子在 2024 年底为该项目紧急订购了必需设备，该制程预计将于 2025 年内量产，最早的推出时间则是今年 2~3 季度。
消息称三星电子已启动 4nm 制程 HBM4 逻辑芯片试生产
逻辑芯片也称基础裸片、接口芯片，在整体 HBM 内存堆栈中起到“大脑”的作用，同时也是发热大户。
鼓励多技术路线探索，消息称三星电子准备开发传统结构 1e nm DRAM 内存
1e nm DRAM 有望于 2028 年推出，若其最终走向商业化则 4F2 VCT DRAM 的量产预计将至少延至 2029 年。
消息称三星电子 HBM3E 内存性能未达要求，2024 年内难以向英伟达供应
据悉三星电子的 HBM3E 在发热和功耗等性能参数上无法满足英伟达的要求并非因键合工艺不同导致。
消息称三星电子启动下代 1c nm DRAM 内存量产设备订购，明年 2 月引进
三星首条 1c nm 量产线将设置于韩国京畿道平泽 P4 工厂，由于良率尚待改进初期投资规模有限。
三星电子代工业务新任负责人韩真晚：先进、成熟制程两手抓
韩真晚认为在先进制程领域三星需在良率、功率、性能和面积上积极改进，打破“机会窗口关闭所以在下一个节点再赌一把”的恶性循环。
官宣重大结构调整后，知情人士称三星电子“很多员工已降薪”
今天上午，据新浪科技援引知情人士消息称，在三星电子宣布将进行大规模人事调整之后，有“很多员工”已遭遇降薪，一些部门人员的绩效下降了20%。