三星电子
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消息称三星 1、2 代 3nm 工艺良率仅 60%、20%，年内恐大面积更换半导体高管
三星 DS 部的三大业务部存储器、系统 LSI、Foundry 目前未能实现互相促进的良性循环，导致整体面临危机。
经济学家：预计今年韩国经济将增长 2.2%，一半贡献来自三星
韩国作为发达国家，其经济增长离不开众多知名企业的贡献。然而，与其他发达国家不同，韩国经济的增长高度依赖于单一企业 —— 三星电子。
三星电子今年 Q3 营收 79.1 万亿韩元，营业利润 9.18 万亿韩元
三星电子今天公布了 2024 年第三季度财报，数据显示该季度合并营收达 79.1 万亿韩元（IT之家备注：当前约 4072.86 亿元人民币），较上季度增长 7%，这归功新款智能手机的推出效应及高端内存产品销售的提升。
消息称三星电子 2025 年初引进其首台 ASML High NA EUV 光刻机
由于三星目前半导体先进制程路线图已规划至 SF1.4 节点,采用 High-NA 光刻的制程最早也需要等到 SF1。
消息称三星本月成功研制首批 1c nm DRAM 良品晶粒，未来将用于 HBM4 内存
三星计划年内建成首条 1c DRAM 量产线，但按规划明年底就要量产基于 1c DRAM 的 HBM4 内存。
消息称三星电子半导体业务危机蔓延至人才领域，大批员工考虑跳槽
SK 海力士和韩国电子技术研究院放出的岗位吸引了三星大量资深工程师应聘，年轻员工也在另寻出路。
三星电子宣布全面退出 LED 业务，聚焦功率半导体和 Micro LED 领域
据央视财经报道，由于集团整体业绩未达预期，韩国三星电子最近启动了业务架构的调整，其中半导体部门决定全面退出发光二极管（LED）业务。这一决定标志着继 2020 年 LG 电子退出后，韩国两大电子企业都退出 LED 业务。此前，三星电子主要生产和销售电视、智能手机闪光灯等用途的 LED 产品。
三星在韩第二大工会要求放开对外部 AI 工具限制，改善绩效制度
三星电子 2023 年因接连出现 ChatGPT 所致机密泄漏事件禁止员工使用外部 AI 工具。
消息称三星电子因向大客户英伟达供应延迟调减 HBM 内存产能规划
三星电子原计划到 2025 年底将 HBM 产能提升至每月 20 万片晶圆，现已降至 27 万片晶圆。
消息称三星电子加速最先进制程投资，2025Q1 建成月产能七千片晶圆 2nm 量产线
有业内人士认为，确保 2nm 工艺顺利推进已成为三星电子 Foundry 业务部的“殊死一搏”。
消息称三星斥资约 270 亿韩元购买 AMD MI300X，首度引入非英伟达 GPU
三星此次购买规模约为 2000 颗 MI300X，可缓解企业内部英伟达 AI GPU 短缺带来的算力不足问题。
三星电子芯片业务负责人全永铉罕见就 Q3 业绩不及预期致歉
三星电子今日公布了其 2024 年第三季度的收益指引，利润和营收均未达到市场预期，引发了对其关键芯片部门前景的不确定性担忧。
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三星电子 2024 第三季度营业利润约 9.1 万亿韩元，同比增长 274.49%
根据 2023 年第三季度数据（销售额 67.40 万亿韩元、营业利润 2.43 万亿韩元）计算可得，三星电子 2024 第三季度销售额同比增长 17.21%、营业利润同比增长 274.49%。
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三星电子董事长李在镕：无意分拆代工芯片制造及逻辑芯片设计业务
北京时间今日，三星电子董事长李在镕告诉路透社，三星无意分拆其代工芯片制造业务和逻辑芯片设计业务。
先进制程订单寥寥，消息称三星关闭平泽 P2、P3 工厂三成 4 \\ 5 \\ 7 nm 产线
三星电子目前在先进制程上面临空有理论产能，实际出货量极低的局面，不得不调整经营策略。
韩媒称三星电子代工业务遭遇困局：先进制程不成熟，成熟制程不先进
先进制程无法形成“接获订单-工艺改进-接获订单”良性循环，成熟制程被认为弱于台积电同等节点。
三星 2nm 量产计划遇阻，计划从美国泰勒厂撤回工作人员
业内人士表示：“三星的 GAA 良率约为 10-20%，这对于订单和大规模生产来说都不够。”他认为，正是这种低良率导致三星不得不重新考虑其战略，并从泰勒工厂撤回工作人员。
三星电子宣布其首款 1Tb QLC 第九代 V-NAND 正式开始量产
三星还表示将扩大 QLC 第九代 V-NAND 的应用范围，从品牌消费类产品开始，扩展到移动通用闪存（UFS）、个人电脑和服务器 SSD，为包括云服务提供商在内的客户提供服务。
消息称三星电子开启海外裁员，部分部门裁员幅度高达 30%
据路透社报道，全球最大的智能手机、电视和内存芯片制造商三星电子正在裁减其海外员工，部分部门裁员幅度高达 30%。
消息称三星电子再获 2nm 订单，为安霸 Ambarella 代工高级驾驶辅助系统芯片
安霸此前就曾与三星进行代工合作，前者的 CV3-AD685 汽车 AI 中央域控制器基于三星 5nm 工艺。
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双方 HBM 合作首度公开，三星电子、台积电正携手开发无缓冲 HBM4 内存
无缓冲 HBM4 据信属于 HBM4 内存特殊变体，取消了用于分配电压和防止电气问题的缓冲器。
三星电子计划 2027 年推出 0a nm DDR 内存，2026 年推出 HBM4E
三星计划 2026 年推出最大 32Gb 单颗粒容量的 1d nm DDR 内存，而 0a nm 节点单颗粒容量可达 48Gb。