SK海力士
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史上最佳表现：SK 海力士 2024 年营业利润 23.5 万亿韩元，发放 1500% 绩效奖金
SK 海力士在公司公告栏上宣布，将发放相当于基本工资 1500% 的绩效奖金，这也是有史以来规模最大的一次（奖金将于本月 24 日发放）。
SK 海力士被曝上半年削减 10% NAND 闪存产量
由于市场供过于求，NAND 闪存价格已连续四个月下跌。上个月，美光率先宣布将减产，而三星也被曝出将调整其韩国本土的 NAND 产量以及中国西安工厂的开工率，预计日本铠侠也将采取类似举措。
消息称 SK 海力士考虑进军先进封装领域，延长存储产业链
在目前的 AI 芯片产业链中存储原厂仅负责提供 HBM，进军以 2.5D 工艺为代表的先进外包封测有助于提升 SK 海力士整体竞争力。
SK 海力士获美国 4.58 亿美元芯片补贴
路透社昨日（12 月 19 日）发布博文，报道美国商务部本周四最终确定，向 SK 海力士提供高达 4.58 亿美元（IT之家备注：当前约 33.46 亿元人民币）的政府补助，帮助其在印第安纳州设立先进芯片封装工厂和人工智能产品研发设施。
SK海力士发布61TB企业级固态硬盘：PCIe 5.0接口、带宽提升至32GT/s
SK海力士发布61TB企业级固态硬盘：PCIe 5.0接口、带宽提升至32GT/s
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SK 海力士新设 AI 芯片开发和量产部门，任命首席开发官及首席生产官
新设的AI芯片开发部门整合了 DRAM、NAND 和解决方案的开发能力，着眼于下一代 AI 内存等未来技术，旨在促进公司整体的技术协同。
制程反超三星，消息称 SK 海力士将为定制 HBM4 内存导入 3nm 基础裸片
SK 海力士的标准款 HBM4 仍将采用性价比更具优势的台积电 N12FFC 制程基础裸片。
SK 海力士介绍全球首款 16-High HBM3E 内存，明年初出样
该产品仍采用先进 MR-MUF 键合，单堆栈容量可达 48GB，AI 推理、训练性能分别提升 18% 和 32%，预计明年初出样。
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SK 海力士发布 2024 财年第 3 季度财报：营收 17.57 万亿韩元、同比增长 94%
SK 海力士今天（10 月 24 日）发布 2024 财年第三季度（截至 2024 年 9 月 30 日）财报，合并收入为 17.5731 万亿韩元，环比增长 7%、同比增长 94%。
消息称 SK 海力士收缩 CIS 业务规模，全力聚焦 HBM 等高利润产品
SK 海力士今年减少了对 CIS 业务的研发投资，月产能也已降低至不足去年一半水平。
SK 海力士宣布全球率先量产 12 层 HBM3E 芯片，实现 36GB 最大容量
SK 海力士还堆叠 12 颗 3GB DRAM 芯片，实现与现有的 8 层产品相同的厚度，同时容量提升 50%。为此，公司将单个 DRAM 芯片制造得比以前薄 40%，并采用硅通孔技术（TSV）技术垂直堆叠。
SK 海力士韩国利川、清州工厂生产岗员工工会否决涨薪 5.7% 临时协议
该工会要求公司调整目前四班三倒的轮班制度，提升综合薪资待遇以充分反映企业业绩改善。
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保持行业领先，SK 海力士预计 9 月底量产 12 层 HBM3E 内存
目前 8 层和 12 层 HBM3E 支持 36GB 容量，每秒可处理超过 1.18TB 数据，而 HBM4 将提供 12 层和 16 层产品，最大容量为 48GB，数据处理速度可超过每秒 1.65TB。
SK 海力士开发出全球首款第六代 10 纳米级 DDR5 DRAM：相比上代速度提升 11%
SK 海力士今日宣布，全球首次成功开发出采用第六代 10 纳米级（1c）工艺的 16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。由此，公司向世界展现了 10 纳米出头的超微细化存储工艺技术。
仍基于 1b nm DRAM，消息称 SK 海力士年内先后流片英伟达、AMD 用 HBM4 内存
英伟达用 HBM4 将率先于今年 10 月进行流片，而向 AMD 供应的 HBM4 也将在今年底流片。
SK 海力士：美股七大科技巨头均表达定制 HBM 内存意向
SK 海力士负责 HBM 业务的副总裁认为，随着定制产品需求增加，存储行业即将迎来范式转变的临界点。
SK 海力士计划 2026 年首次导入 ASML High NA EUV 光刻机
该公司新近成立了一个 High NA EUV 研发团队，正致力于将新一代光刻技术应用到最先进 DRAM 内存的生产上。
因 HBM3/3E 内存产能挤占，SK 海力士 DDR5 被曝涨价 15~20%
华尔街见闻报道称，SK 海力士已将其 DDR5 DRAM 芯片提价 15%-20%。供应链人士称，海力士 DDR5 涨价主要是因为 HBM3/3E 产能挤占。
SK 海力士率先展示 UFS 4.1 通用闪存，基于 V9 TLC NAND 颗粒
KK 海力士还首次展示了 3.2Gbps 的 V9 2Tb QLC NAND 以及 3.6Gbps 的 V9H 1Tb TLC NAND。
SK 海力士美国先进封装生产基地获美政府至多 4.5 亿美元直接补贴和 5 亿美元贷款
SK 海力士此前已宣布斥资 38.7 亿美元在印第安纳州西拉斐特建设先进封装生产设施。
