SK海力士
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SK 海力士韩国利川、清州工厂生产岗员工工会否决涨薪 5.7% 临时协议
该工会要求公司调整目前四班三倒的轮班制度,提升综合薪资待遇以充分反映企业业绩改善。
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保持行业领先,SK 海力士预计 9 月底量产 12 层 HBM3E 内存
目前 8 层和 12 层 HBM3E 支持 36GB 容量,每秒可处理超过 1.18TB 数据,而 HBM4 将提供 12 层和 16 层产品,最大容量为 48GB,数据处理速度可超过每秒 1.65TB。
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SK 海力士开发出全球首款第六代 10 纳米级 DDR5 DRAM:相比上代速度提升 11%
SK 海力士今日宣布,全球首次成功开发出采用第六代 10 纳米级(1c)工艺的 16Gb(Gigabit,千兆比特)DDR5 DRAM。由此,公司向世界展现了 10 纳米出头的超微细化存储工艺技术。
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仍基于 1b nm DRAM,消息称 SK 海力士年内先后流片英伟达、AMD 用 HBM4 内存
英伟达用 HBM4 将率先于今年 10 月进行流片,而向 AMD 供应的 HBM4 也将在今年底流片。
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SK 海力士:美股七大科技巨头均表达定制 HBM 内存意向
SK 海力士负责 HBM 业务的副总裁认为,随着定制产品需求增加,存储行业即将迎来范式转变的临界点。
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SK 海力士计划 2026 年首次导入 ASML High NA EUV 光刻机
该公司新近成立了一个 High NA EUV 研发团队,正致力于将新一代光刻技术应用到最先进 DRAM 内存的生产上。
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因 HBM3/3E 内存产能挤占,SK 海力士 DDR5 被曝涨价 15~20%
华尔街见闻报道称,SK 海力士已将其 DDR5 DRAM 芯片提价 15%-20%。供应链人士称,海力士 DDR5 涨价主要是因为 HBM3/3E 产能挤占。
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SK 海力士率先展示 UFS 4.1 通用闪存,基于 V9 TLC NAND 颗粒
KK 海力士还首次展示了 3.2Gbps 的 V9 2Tb QLC NAND 以及 3.6Gbps 的 V9H 1Tb TLC NAND。
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SK 海力士美国先进封装生产基地获美政府至多 4.5 亿美元直接补贴和 5 亿美元贷款
SK 海力士此前已宣布斥资 38.7 亿美元在印第安纳州西拉斐特建设先进封装生产设施。